[아이티데일리] 인텔 메모리 및 스토리지 그룹은 중국 다롄에서 제조된 QLC 낸드 다이 기반의 ‘인텔 QLC 3D 낸드(NAND) 솔리드 스테이트 드라이브(SSD)’ 생산량이 천만 개를 돌파했다고 12일 밝혔다.

인텔측은 ‘QLC 3D 낸드 SSD’는 2018말에 생산되기 시작했으며, 이는 4중셀(QLC)이 대용량 드라이브용 메인스트림 기술로 부상했음을 나타내는 이정표와 같다고 밝혔다.

먼저 ‘인텔 QLC 3D 낸드’는 인텔 SSD 660p, 인텔 SSD 665p 및 인텔 옵테인(Optane) 메모리 H10 스토리지 솔루션에 사용되며, 인텔의 ‘QLC 드라이브’는 셀 당 4비트로, 64단 및 96단 낸드 사양에 데이터를 저장한다.

이 같은 기술을 인텔은 지난 10년간 개발해왔으며, 2016년 인텔 엔지니어들은 이미 검증된 플로팅게이트(FG) 기술의 방향을 수직으로 바꿔 ‘게이트 올 어라운드(Gate All-Around)’ 구조로 구성했다. 그 결과 발생하는 ‘3D 트라이-레벨 셀(TLC)’ 기술은 다이 당 384GB를 저장할 수 있었다. 2018년에 이르러 ‘3D QLC 플래시’는 셀 당 4비트, 64단으로 다이 당 1,024GB를 저장할 수 있게 됐다. 지난해에는 96층의 레이어를 구현해 전체 면적밀도를 줄였다.

데이브 런델(Dave Lundell) 인텔 클라이언트용 SSD 전략 기획 및 제품 마케팅 담당 디렉터는 “많은 사람들이 QLC 기술에 대해 대규모 출하가 어려울 것이라고 이야기했으나 인텔은 QLC 기술을 대규모로 출하하는데 성공했다”며 “인텔은 QLC SSD(인텔 SSD 660p)의 비용 효율적인 용량, 인텔 옵테인(Optane) 기술과 QLC 솔루션(인텔 옵테인 메모리 H10)을 결합한 성능에 대한 강력한 수요가 있음을 확인했다”고 밝혔다.